從外觀區(qū)別DDR和DDR2，DDR3

我要評論 2009/11/18 19:34:29 來源：綠色資源網(wǎng) 編輯：綠色資源站 [大中小] 評論:0 點(diǎn)擊:2992次

防呆缺口 DDR內(nèi)存單面金手指針腳數(shù)量為92個(gè)（雙面184個(gè)），缺口左邊為52個(gè)針腳，制品右邊為40個(gè)針腳；

DDR2內(nèi)存單面金手指120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為64個(gè)針腳，缺口右邊為56個(gè)針腳；

DDR3內(nèi)存單面金手指也是120個(gè)（雙面240個(gè)），缺口左邊為72個(gè)針腳，缺口右邊為48個(gè)針腳.

2、DDR內(nèi)存的顆粒為長方形

DDR2和DDR3內(nèi)存的顆粒為正方形,而且體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一

3、使用電壓不同
DDR2的電壓1.8V
DDR3的電壓1.5V

支持DDR2和DDR3內(nèi)存斯巴達(dá)克新品BA130到貨

參數(shù)不同之處

電壓 VDD/VDDQ	2.5V/2.5V	1.8V/1.8V(±0.1)	1.5V/1.5V(±0.075)
I/O接口	SSTL_25	SSTL_18	SSTL_15
數(shù)據(jù)傳輸率(Mbps)	200～400	400～800	800～2000
容量標(biāo)準(zhǔn)	64M～1G	256M～4G	512M～8G
Memory Latency(ns)	15～20	10～20	10～15
CL值	1.5/2/2.5/3	3/4/5/6	5/6/7/8
預(yù)取設(shè)計(jì)(Bit)	2	4	8
邏輯Bank數(shù)量	2/4	4/8	8/16
突發(fā)長度	2/4/8	4/8	8
封裝	TSOP	FBGA	FBGA
引腳標(biāo)準(zhǔn)	184Pin	240Pin	240Pin